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Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
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Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01% maior largura de banda
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
96
Por volta de -182% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
9.6
6.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.6
4.2
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR3
Latência em PassMark, ns
96
34
Velocidade de leitura, GB/s
6.8
9.6
Velocidade de escrita, GB/s
4.2
7.6
Largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
992
2050
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB Comparações de RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMT31GR7EFR4C-H9 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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