OCZ OCZ2P11502G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB

OCZ OCZ2P11502G 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB

Pontuação geral
star star star star star
OCZ OCZ2P11502G 2GB

OCZ OCZ2P11502G 2GB

Pontuação geral
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB

Diferenças

  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    5 left arrow 4
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    3,658.9 left arrow 2,169.5
    Valor médio nos testes
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    56 left arrow 66
    Por volta de -18% menor latência

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
OCZ OCZ2P11502G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latência em PassMark, ns
    66 left arrow 56
  • Velocidade de leitura, GB/s
    5,201.6 left arrow 4,680.1
  • Velocidade de escrita, GB/s
    3,658.9 left arrow 2,169.5
  • Largura de banda de memória, mbps
    6400 left arrow 6400
Other
  • Descrição
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • Tempos / Velocidade do relógio
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    860 left arrow 779
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparações