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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Comparar
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.7
11.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
35
Por volta de -17% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.1
9.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
30
Velocidade de leitura, GB/s
13.7
11.6
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
10.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2312
2332
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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CAS Latency (CL) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
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