RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Comparar
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Pontuação geral
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Pontuação geral
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
5
10.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
39
Por volta de -18% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
5.5
1,597.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
39
33
Velocidade de leitura, GB/s
5,022.9
10.4
Velocidade de escrita, GB/s
1,597.0
5.5
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
753
1806
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Comparações de RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link