Comparação RAM PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB vs Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB

PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB vs Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB

Pontuação geral

PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB

Razões a considerar
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

57 63

Por volta de -11% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

19.1 6.1

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

10.1 5.0

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

19200 10600

Por volta de 1.81 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB

Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB

Características principais

Other

Descrição

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

1274 2377

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns