RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Comparar
PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
35
Por volta de 23% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
13.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
35
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
12.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
3060
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB Comparações de RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology 11137401 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link