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PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
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Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
27
Por volta de -17% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.3
13.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.3
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
23
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
17.3
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
14.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
3036
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
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Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
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