RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Comparar
PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.8
9.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
6.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
27
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
9.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
6.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
1767
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB Comparações de RAM
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link