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PNY Electronics PNY 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Comparar
PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
57
Por volta de 53% menor latência
Razões a considerar
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.1
13.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.1
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
57
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
19.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
10.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
2377
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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SK Hynix HYMP125S64CP8-Y5 2GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F3-2400C11-4GSR 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
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