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PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
30
Por volta de 10% menor latência
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
13.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
30
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
11.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
2341
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
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