RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Comparar
PNY Electronics PNY 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
27
Por volta de -17% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.3
13.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.5
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
23
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
9.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
2619
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link