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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
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Razões a considerar
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
43
Por volta de -34% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.7
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.7
9.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
32
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
9.3
13.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2285
3322
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Comparações de RAM
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
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Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
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