RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Comparar
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Pontuação geral
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
43
Por volta de -87% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.6
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
18.8
9.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
23
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
19.6
Velocidade de escrita, GB/s
9.3
18.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2285
4095
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link