RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Comparar
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
29
Por volta de -7% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.3
9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.0
5.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
27
Velocidade de leitura, GB/s
9.0
17.3
Velocidade de escrita, GB/s
5.7
13.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1274
2735
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB Comparações de RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link