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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
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Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
40
Por volta de -21% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.9
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.4
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
33
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
10.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1806
3035
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB Comparações de RAM
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
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