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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
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Razões a considerar
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
43
Por volta de -30% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
11.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.9
7.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
33
Velocidade de leitura, GB/s
11.4
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
7.7
10.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1823
2876
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Comparações de RAM
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Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB Comparações de RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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