RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Comparar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
31
Por volta de 19% menor latência
Razões a considerar
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.9
16.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.9
10.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
31
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
20.9
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
15.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
3740
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link