RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Comparar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
26
Por volta de 4% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
14.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.8
10.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
26
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
14.4
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
10.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
2497
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link