RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Comparar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
25
Por volta de -4% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.5
16.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.0
10.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
24
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
20.5
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
17.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
4064
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link