RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Comparar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
20
25
Por volta de -25% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.4
16.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.2
10.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
20
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
18.4
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
14.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
3540
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link