RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Comparar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
71
Por volta de 65% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.1
8.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.2
16.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
71
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
16.2
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
8.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
1979
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Inmos + 256MB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link