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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Inmos + 256MB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Inmos + 256MB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
Inmos + 256MB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
30
Por volta de 17% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
11.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.1
9.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Inmos + 256MB
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Maior largura de banda de memória, mbps
16800
12800
Por volta de 1.31 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Inmos + 256MB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
30
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
11.5
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
9.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
16800
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
no data
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
2318
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Inmos + 256MB Comparações de RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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