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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Comparar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
38
Por volta de 34% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
8.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.1
6.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
38
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
8.9
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
6.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
2206
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
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