Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB

Pontuação geral
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Pontuação geral
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Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB

Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    25 left arrow 37
    Por volta de 32% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    19.5 left arrow 16.1
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    12.4 left arrow 10.1
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    25600 left arrow 12800
    Por volta de 2 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    25 left arrow 37
  • Velocidade de leitura, GB/s
    16.1 left arrow 19.5
  • Velocidade de escrita, GB/s
    10.1 left arrow 12.4
  • Largura de banda de memória, mbps
    12800 left arrow 25600
Other
  • Descrição
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
  • Tempos / Velocidade do relógio
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2764 left arrow 3355
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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