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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Comparar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
28
Por volta de 11% menor latência
Razões a considerar
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.5
16.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.1
10.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
23400
12800
Por volta de 1.83 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
28
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
16.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
23400
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
3758
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
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