RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Comparar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.1
8.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
25
Por volta de -9% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.2
16.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
23
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
16.2
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
8.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
2442
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link