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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Comparar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Pontuação geral
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.9
9.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.6
6.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
40
43
Por volta de -8% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
40
Velocidade de leitura, GB/s
14.9
9.3
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
6.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2506
2117
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB Comparações de RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
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