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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Comparar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Pontuação geral
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
43
Por volta de -43% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.8
14.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.3
9.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
30
Velocidade de leitura, GB/s
14.9
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
13.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2506
3212
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparações de RAM
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A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
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