RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Comparar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Pontuação geral
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Pontuação geral
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
43
67
Por volta de 36% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.6
8.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.3
14.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
67
Velocidade de leitura, GB/s
14.9
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
8.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2506
2042
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link