RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Comparar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Pontuação geral
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Pontuação geral
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
43
59
Por volta de 27% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.6
7.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.3
14.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
59
Velocidade de leitura, GB/s
14.9
17.3
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
7.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2506
1954
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link