RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Comparar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,123.3
12.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
59
Por volta de -136% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
25
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
16.4
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
12.5
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
2946
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB Comparações de RAM
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link