RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Comparar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,123.3
10.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
59
Por volta de -103% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
29
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
13.4
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
10.3
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
2832
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Relatar um erro
×
Bug description
Source link