RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Comparar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
18.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,123.3
14.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
59
Por volta de -111% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
28
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
18.2
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
14.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
3546
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link