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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Comparar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
20.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,123.3
18.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
59
Por volta de -90% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
31
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
20.3
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
18.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
3738
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
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