RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Comparar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,123.3
12.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
59
Por volta de -84% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
32
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
12.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
3007
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link