RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Comparar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
11.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
47
59
Por volta de -26% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.9
2,123.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
47
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
11.2
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
7.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
2227
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link