RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Comparar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,123.3
13.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
59
Por volta de -74% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
34
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
13.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
2927
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT51264BA160BJ.C8F 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link