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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Comparar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
59
63
Por volta de 6% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.1
2,123.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
63
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
16.1
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
9.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
1932
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CAS Latency (CL) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
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