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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Comparar
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Pontuação geral
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
69
Por volta de -176% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
1,857.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
69
25
Velocidade de leitura, GB/s
4,217.2
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,857.7
12.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
668
3023
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparações de RAM
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
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