RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Comparar
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
39
69
Por volta de -77% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.9
1,857.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
6400
Por volta de 4 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
69
39
Velocidade de leitura, GB/s
4,217.2
16.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,857.7
11.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
25600
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
668
2782
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link