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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Comparar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
58
Por volta de -152% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.7
1,950.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
58
23
Velocidade de leitura, GB/s
4,241.0
16.6
Velocidade de escrita, GB/s
1,950.7
11.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
651
2495
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
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