RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Comparar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
58
Por volta de -93% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.9
1,950.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
58
30
Velocidade de leitura, GB/s
4,241.0
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,950.7
12.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
651
3283
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link