RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Comparar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
58
Por volta de -123% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.0
1,950.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
58
26
Velocidade de leitura, GB/s
4,241.0
17.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,950.7
15.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
651
3486
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link