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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Comparar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
11.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
58
Por volta de -87% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.5
1,950.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
58
31
Velocidade de leitura, GB/s
4,241.0
11.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,950.7
6.5
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
651
1860
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB Comparações de RAM
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
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