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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Inmos + 256MB
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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Inmos + 256MB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
Inmos + 256MB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
11.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Inmos + 256MB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
58
Por volta de -93% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.1
1,950.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
16800
6400
Por volta de 2.63 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Inmos + 256MB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
58
30
Velocidade de leitura, GB/s
4,241.0
11.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,950.7
9.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
16800
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
no data
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
651
2318
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Inmos + 256MB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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