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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Comparar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
58
Por volta de -152% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.3
1,950.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
58
23
Velocidade de leitura, GB/s
4,241.0
17.3
Velocidade de escrita, GB/s
1,950.7
12.3
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
651
2979
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
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