RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Comparar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
13.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
58
Por volta de -142% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.3
1,950.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
58
24
Velocidade de leitura, GB/s
4,241.0
13.6
Velocidade de escrita, GB/s
1,950.7
6.3
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
651
1764
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kllisre 0000 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link