RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
46
66
Por volta de 30% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
17
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.5
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
3200
Por volta de 6.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
66
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
17.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
8.5
Largura de banda de memória, mbps
3200
21300
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
2063
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Relatar um erro
×
Bug description
Source link