RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
15.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
46
Por volta de -64% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.4
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
3200
Por volta de 5.31 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
28
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
9.4
Largura de banda de memória, mbps
3200
17000
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
2510
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link