RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
17.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
46
Por volta de -70% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.8
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
3200
Por volta de 5.31 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
27
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
14.8
Largura de banda de memória, mbps
3200
17000
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
3693
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link